特許
J-GLOBAL ID：200903077106089475
炭化けい素半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012482
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】炭化けい素半導体素子製造のため、イオン注入をおこない、更にダメージ回復と不純物活性化のため1500°C以上のアニールをおこなう際の、炭化けい素基板表面の粗面化による素子特性の劣化を防止する。【解決手段】炭化けい素基板のイオン注入層3表面上に、減圧CVD法により多結晶シリコン膜4を堆積し、アニールをおこなった後、多結晶シリコン膜4をふっ硝酸で溶解除去して、初期の表面粗さを保つ。多結晶シリコン膜と炭化けい素膜、多結晶シリコン膜とアルミナ膜を堆積しても良い。
請求項（抜粋）：
炭化けい素基板にイオン注入を行い、高温でアニールを実施する炭化けい素半導体素子の製造方法において、イオン注入後、基板表面にシリコンを接触させてアニールを行い、その後そのシリコンを除去することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 602 A
