半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107946
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299389
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】駆動能力を担保しつつ従来より高静電破壊耐性が向上した入出力トランジスタを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1と、内部トランジスタ90と、入出力トランジスタ80とを備えた半導体装置であって、内部トランジスタ90のソース・ドレイン領域に形成されたLDD領域4と、コンタクト領域に形成されLDD領域4の不純物濃度より大きな不純物濃度を有する高濃度拡散領域9と、内部トランジスタ90のソース・ドレイン領域とコンタクト領域との表面に形成されたシリサイド層10と、入出力トランジスタ80のゲート電極3とコンタクト領域との間に形成され、LDD領域の不純物濃度より大きく高濃度拡散領域9の不純物濃度より小さい不純物濃度を有する中濃度拡散領域6とを備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上の第一の領域に形成された第一のゲート電極と、該第一のゲート電極の両側に形成された第一のソース・ドレイン領域とを有する内部トランジスタと、前記半導体基板上の第二の領域に形成された第二のゲート電極と、該第二のゲート電極の両側に形成された第二のソース・ドレイン領域とを有する入出力トランジスタとを有し、前記第一のソース・ドレイン領域は、前記第一のゲート電極に隣接する領域に形成され第一の不純物濃度を有するLDD領域と、前記第一の不純物濃度よりも濃度の高い第一の拡散領域とを有し、前記第二のソース・ドレイン領域は、前記第一の不純物濃度より大きな第二の不純物濃度を有する第二の拡散領域と、前記第二のゲート電極と前記第二の拡散領域との間に形成され、前記第一の不純物濃度より大きく前記第二の不純物濃度より小さい第三の不純物濃度を有する第三の拡散領域とを有し、前記第一の拡散領域と前記第二の拡散領域には、オーミック電極が接合されたコンタクト領域を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 27/08 102 B , H01L 21/28 301 T , H01L 27/08 102 D

Fターム (28件)：

4M104AA01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD26 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104FF28 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AB06 , 5F048AB07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC06 , 5F048BC20 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048DA25

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-031980 出願人：三洋電機株式会社
相補型MISトランジスタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-125606 出願人：日本電装株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-299217 出願人：株式会社リコー

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