半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宇高克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-098939
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278930
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】配線材料となるCuの拡散を防止し、配線間リークが少なく、又、凹凸が少なく、それだけ信頼性が高く、更には配線プロセスが簡略化され、コストがそれだけ低廉なものになる半導体装置を提供することである。【解決手段】基板1と、前記基板1上に設けられたCu配線層8,19と、前記Cu配線層8,19上に設けられた層間絶縁層9,20とを具備する半導体装置であって、前記層間絶縁層9、20がCu拡散防止機能を有する塗布型絶縁膜である。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられたCu配線層と、前記Cu配線層上に設けられた層間絶縁層とを具備する半導体装置であって、前記層間絶縁層がCu拡散防止機能を有する塗布型絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312

FI (2件)：

H01L21/90 Q , H01L21/312 M

Fターム (51件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ73 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT03 , 5F033WW09 , 5F033XX01 , 5F033XX23 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F058AA03 , 5F058AA06 , 5F058AA10 , 5F058AC02 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-180703 出願人：富士通株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-168187 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (6件)

半導体素子の銅配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-424483 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
銅の拡散に対するバリア効果を有する誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-183611 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチェンゲゼルシャフト
層状ハードマスク、誘電材料及びそのための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-590413 出願人：ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド

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