方位計

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153068
公開番号（公開出願番号）：特開2002-350136
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】方位計を薄く且つ面積を小さくすること。【解決手段】平面コイルと、少なくとも2群の薄膜磁気抵抗効果素子群を配置し、各々が、MRブリッジを構成するようにすると共に、地磁気の直交2成分を検知して出力し、これら出力値から方位情報を得る。

請求項（抜粋）：

直交する2軸に対称な形状に巻回した平面コイルと、その平面コイルの面にほぼ平行に、少なくとも2群の薄膜磁気抵抗効果素子群を配置し、前記磁気抵抗効果素子群の各々が、偶数個の磁気抵抗抵抗素子を導通してMRブリッジを構成するようにすると共に、地磁気の直交2成分を検知して出力し、これら出力値から方位情報を得るものにおいて、平面コイルに所定方向の電流を流して前記磁気抵抗効果素子の磁化が飽和する以上の磁場を印加した後、これとは逆方向の一定のバイアス磁界を印加し、次に前記所定方向とは逆方向に磁気抵抗効果素子の磁化が飽和する以上の磁場を印加した後、これとは逆方向の一定のバイアス磁界を印加する手段と、前記バイアス磁界印加に合わせて薄膜磁気抵抗効果素子群に磁場測定電流を流す手段を備えたことを特徴とする方位計。

IPC (4件)：

G01C 17/30 , G01R 33/02 , G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (6件)：

G01C 17/30 A , G01R 33/02 L , H01L 43/08 A , H01L 43/08 B , H01L 43/08 U , G01R 33/06 R

Fターム (6件)：

2G017AA03 , 2G017AB07 , 2G017AC09 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 2G017BA05

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体基板上に形成された磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-140524 出願人：アスラブ・エスアー
磁気・磁気方位センサ及び磁気・磁気方位測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-151637 出願人：住友金属鉱山株式会社
方位センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-111463 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る