特許
J-GLOBAL ID:200903070267885692
レジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-017355
公開番号(公開出願番号):特開2005-208509
出願日: 2004年01月26日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 イマージョンリソグラフィ工程において使用される溶媒に対して安定であり、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れる、レジスト組成物、及びこれらレジスト組成物を用いるレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】 所定のパラメータに該当するレジスト組成物、または酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含み、前記(A)成分は、(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を有し、かつ(a0)(a0-1)ジカルボン酸の無水物含有構成単位又は(a0-2)フェノール性水酸基含有構成単位を有さないことを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、該レジスト組成物を用いて形成した塗膜を露光して又は未露光のまま水に浸漬し、次いで該浸漬状態で水晶振動子法により該塗膜の膜厚の変化を測定したとき、露光後塗膜と未露光後塗膜の両方において、それらの塗膜の測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量が1.0nm以下であることを特徴とするレジスト組成物。
IPC (4件):
G03F7/26
, G03F7/039
, G03F7/20
, H01L21/027
FI (4件):
G03F7/26 501
, G03F7/039 601
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502R
Fターム (17件):
2H025AA01
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA08
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA27
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献:
出願人引用 (1件)
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Immersion Liquids for Lithography in the Deep Ultraviolet
審査官引用 (2件)
-
Immersion Liquids for Lithography in the Deep Ultraviolet
-
Opitcal Microlithography XVI
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