ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：正林真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-158894
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329276
出願日： 2006年06月07日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】ナノインプリントリソグラフィを用いて、エッチング耐性に優れた高アスペクト比のレジストパターンを形成できる方法を提供できる。【解決手段】支持体1上に、有機層4を形成する工程、該有機層4上にシルセスキオキサン樹脂(A)を含む化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト層2を形成する工程、部分的に遮光部5を有する光透過型のモールド3をレジスト層2に押し付けた後、モールド3上から露光する工程、及びモールド3を剥離する工程を含む、ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターン形成方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体上に、有機層を形成する工程、該有機層上にシルセスキオキサン樹脂(A)を含む化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト層を形成する工程、部分的に遮光部を有する光透過型のモールドを前記レジスト層に押し付けた後、前記モールド上から露光する工程、及び前記モールドを剥離する工程を含む、ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , B81C 5/00 , G03F 7/11 , G03F 7/038 , G03F 7/075 , G03F 7/38

FI (7件)：

H01L21/30 502D , H01L21/30 573 , B81C5/00 , G03F7/11 503 , G03F7/038 601 , G03F7/075 521 , G03F7/38 501

Fターム (22件)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025CB00 , 2H025CB33 , 2H025CC17 , 2H025DA40 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA06 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA18 , 5F046AA28 , 5F046BA10 , 5F046NA01 , 5F046NA19

引用特許：

審査官引用 (8件)

パターン形成方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-097690 出願人：シャープ株式会社
段付き鋳張り捺印式リソグラフィー
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-604271 出願人：ボード・オヴ・リージェンツ,ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・テキサス・システム
インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-529089 出願人：モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド

全件表示

前のページに戻る