特許
J-GLOBAL ID：200903070722140978
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
碓氷 裕彦
, 加藤 大登
, 伊藤 高順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-008264
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109526
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 半導体装置に対して大きな熱応力が作用したときに、素子破壊を防止することができ、半導体装置の長期的信頼性を向上させる。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、半導体チップ2と、この半導体チップ2の両面から放熱するための一対のヒートシンク3、4とを備え、装置のほぼ全体を樹脂7でモールドしたものにおいて、半導体チップ2の厚さ寸法をt1とし、一対のヒートシンク3、4のうちの少なくとも一方のヒートシンク3の厚さ寸法をt2としたときに、t2/t1≧5が成立するように構成したものである。本発明者らは、上記構成の半導体装置1に対して大きな熱応力が作用しても、素子破壊が発生しないことを試作と実験により確認した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、この半導体素子の裏面に接合され電極と放熱を兼ねる第1の金属体と、前記半導体素子の表面側に接合され電極と放熱を兼ねる第2の金属体と、前記半導体素子の表面と前記第2の金属体との間に接合された第3の金属体とを備え、前記一対の放熱板の一面が露出するように装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置において、
前記半導体素子と前記金属体とを接合する接合層における塑性歪み率が1%以下となるように、前記半導体素子の厚さを250μm以下とすると共に、
前記モールド樹脂により装置全体を拘束保持するように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BC06
, 5F036BE01
