特許
J-GLOBAL ID：200903070872499605

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岩松 俊明

岩松 俊明 について

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一法師 隆志

一法師 隆志 について

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井上 靖朗

井上 靖朗 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113854
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298195
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 従来の技術では、SOI基板のSOI層に対して素子分離領域(LOCOS酸化膜)を形成する際、バーズビークの周囲に必要以上に応力がかかり、結晶欠陥が発生し、また、自己整合的に形成される活性領域はバーズビークの伸びにより設計寸法通りに形成できない等の問題があった。【解決手段】 SOI層上に酸化膜を介して所定の膜厚の窒化膜を設計寸法にパターニング後、この側断面に窒化膜からなるサイドウォールを形成し、これらの窒化膜をマスクに1回目のLOCOS酸化を行い、生じたLOCOS酸化膜を除去後、窒化膜を積層し、サイドウォール下の間隙内に、さらに狭い間隙を持つ状態とし、間隙以外の部分の窒化膜を除去後、2回目のLOCOS酸化を行い分離領域となるLOCOS酸化膜を得る。狭い間隙を持つ酸化マスクを用いLOCOS酸化するため、応力を低減しつつバーズビークの伸びを抑制できる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に埋め込み酸化膜を介して形成され、互いに接する活性領域と素子分離領域とを備え、少なくとも上記活性領域と上記素子分離領域との界面及び上記活性領域と上記埋め込み酸化膜との界面のいずれか一方、若しくは両方の位置に窒素が偏析することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L 21/94 A ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 621
引用特許：
審査官引用 (9件)
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