特許
J-GLOBAL ID：200903070972336738
EUV光源、EUV露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-186132
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013033
出願日： 2004年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】液体状のSnを使用することを可能にすることにより高い変換効率を得ることが可能であり、かつ、debrisの除去が容易であるEUV光源を提供する。【解決手段】加熱されたタンク4内には、Snの原子数%が15%以下の組成を有するSn-Ga系合金が収納されている。加圧ポンプで加圧されたSn合金はノズル1へ導かれて、真空チャンバー7内に設けられたノズル1の先端から液体状のSn合金を噴出する。ノズル1から噴出された液体状のSn合金は、表面張力により球形の形状となり、ターゲット2となる。真空チャンバー7の外に配置されたNd:YAGレーザ光源8から発生したレーザ光は、レンズ9で集光されて真空チャンバー7内へ導かれる。レーザを照射されたターゲット2は、プラズマ化してEUV光を含む光を輻射する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ターゲット物質をプラズマ化し、その際に放出されるEUV光を光源とするEUV光源であって、前記ターゲットが、Snの原子数%が15%以下のSn-Ga(錫-ガリウム)系合金であることを特徴とするEUV光源。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G21K 5/02
, G21K 5/08
, H05G 2/00
H01L21/30 531S
, G03F7/20 503
, G21K5/02 X
, G21K5/08 X
, H05G1/00 K
2H097CA15
, 2H097LA10
, 4C092AA06
, 4C092AA17
, 4C092AB21
, 4C092AC09
, 5F046GA03
, 5F046GC03
