特許
J-GLOBAL ID：200903071144000900

半導体ウェーハ用反応管

発明者：
守屋 一男

守屋 一男 について


出願人/特許権者：
坂口電熱株式会社

坂口電熱株式会社 について


代理人 (1件)： 澤木 誠一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297857
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118796
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体ウェーハ用反応管においては、半導体ウェーハの温度を赤外線放射温度計を用いて計測し、または予め表面に熱電対を設けたダミーウェーハを用いて成膜の温度条件を設定していたが、赤外線放射温度計ではウェーハの放熱率が温度や膜種によって変化するので正確な温度を測ることができず、また、ダミーウェーハではその表面に設けた熱電対が脱落してしまったり、フィードスルー等の気密を保つための装置が必要であるという欠点があった。【解決手段】 本発明の半導体ウェーハ用反応管においては、内部に半導体ウェーハを収納する空間を有する偏平状のチューブ本体の内部に上記ウェーハを支持する複数の筒状突起を設け、この複数の突起の内部に外部よりの温度センサーを挿入する挿入部を形成する。上記筒状突起は、上記チューブ本体の底壁に設けた上記空間に連通する貫通孔を塞ぐ逆カップ状のものであり、この貫通孔の内周面には雌ネジが形成され、この雌ネジ部に温度センサーが螺合される。
請求項（抜粋）：
内部に半導体ウェーハを収納する空間を有する偏平状のチューブ本体と、このチューブ本体の内部に設けた上記ウェーハを支持する複数の筒状突起と、この複数の突起の内部に形成した外部よりの温度センサー挿入部とより成ることを特徴とする半導体ウェーハ用反応管。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/66 T
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA70 ,  4M106DH15 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EM06 ,  5F045GB05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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