特許
J-GLOBAL ID：200903071145058708

平面研磨方法および平面研磨装置

発明者：
杉本 文利

杉本 文利 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185186
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036071
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 平面研磨方法および平面研磨装置に関し、被加工物の表面を一定の研磨速度で、大きい研磨速度で研磨する手段を提供する。【解決手段】 回転テーブル1の上面に設けた研磨シート2に、被加工物9である半導体酸化膜や半導体窒化膜等の絶縁膜と、シリコン等の半導体基板111 ,112 ,・・・、またはアルミニウム、銅、鉄等の金属基板を押圧し、研磨シートに研磨液8を供給しながら回転テーブル1を回転して被加工物9を研磨する。酸素の量が化学量論値より少い酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム等の研磨粒子を含む研磨液を用い、これらの研磨粒子の少なくとも表面に、窒素等の酸素より電気陰性度が低い成分、または、フッ素等の酸素より電気陰性度の高い成分を含ませた研磨粒子を含む研磨液を用いる。研磨シートの表面に電磁波を生起させ、あるいは、研磨シートと被加工物の間に電位をかけた状態で研磨する。
請求項（抜粋）：
回転テーブルの上面に設けられた研磨シートに、被加工物上に形成された絶縁膜と半導体基板または金属基板を押圧し、該研磨シートに研磨液を供給しながら該回転テーブルを回転して被加工物の表面を研磨することを特徴とする平面研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P
引用特許：
審査官引用 (6件)
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