特許
J-GLOBAL ID：200903071183118170
高密度高配向カーボンナノチューブの合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
平山 一幸
, 篠田 哲也
, 海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-133744
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314160
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 厳密な制御を必要とせずに、容易に、高密度、高配向のカーボンナノチューブを大量に低コストで合成する方法を提供する。【解決手段】 表面に酸化ケイ素膜22を有するSi基板21上に、サイズの制御された遷移金属微粒子23を堆積し、この基板を有機液体中に浸し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱する。酸化ケイ素膜を介しているので、遷移金属微粒子23がSi基板21と反応して沈み込むことが無くなり、その結果、容易に、再現性良く、高密度、高配向のカーボンナノチューブを、大量、かつ、低コストで合成できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
触媒の基板への沈み込みを防止する沈み込み防止膜を表面に形成し、この沈み込み防止膜上に触媒微粒子を島状に担持させ、この基板を有機液体中に浸し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱することを特徴とする、高密度高配向カーボンナノチューブの合成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101F
, B01J23/74 301M
4G069AA15
, 4G069BA02B
, 4G069BB02B
, 4G069BC29A
, 4G069BC66B
, 4G069CB35
, 4G069CC40
, 4G069DA05
, 4G069EA08
, 4G069FA05
, 4G069FB02
, 4G069FB30
, 4G146AA11
, 4G146AC03B
, 4G146AD23
, 4G146AD24
, 4G146AD25
, 4G146AD29
, 4G146AD30
, 4G146AD31
, 4G146AD37
, 4G146BA11
, 4G146BA49
, 4G146BC03
, 4G146BC08
, 4G146BC33B
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G169AA15
, 4G169BA02B
, 4G169BB02B
, 4G169BC29A
, 4G169BC66B
, 4G169CB35
, 4G169CC40
, 4G169DA05
, 4G169EA08
, 4G169FA05
, 4G169FB02
, 4G169FB30
, 5C127BA09
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC03
, 5C127DD08
, 5C127DD12
, 5C127DD38
, 5C127DD39
, 5C127EE02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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