特許
J-GLOBAL ID：200903071461041450
ポジ型フォトレジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108627
公開番号（公開出願番号）：特開2002-303980
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、現像欠陥の問題を改善し、更にハーフトーン露光適正にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 少なくとも(A1)スルホニウムのスルホン酸塩化合物と(A2)N-ヒドロキシイミドのスルホネート化合物又はジスルホニルジアゾメタン化合物を含む、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、特定のラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A)少なくとも(A1)スルホニウムのスルホン酸塩化合物と(A2)N-ヒドロキシイミドのスルホネート化合物又はジスルホニルジアゾメタン化合物を含む、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I-1)〜(I-4)の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I-1)〜(I-4)中;R1〜R5は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。R1〜R5の内の2つは、結合して環を形成してもよい。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601
, C08F 20/12
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, C08F 20/12
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AJ02R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AM21R
, 4J100BA03R
, 4J100BA05R
, 4J100BA08R
, 4J100BA12R
, 4J100BA20Q
, 4J100BA20R
, 4J100BA56R
, 4J100BA59R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53R
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100HE22
, 4J100JA38
