特許
J-GLOBAL ID：200903071493833138
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105126
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299457
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 降伏電圧波形がハードで降伏電圧値の製造バラツキおよび製品変動が小さい双方向性ダイオードを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極27を溝23内部に設けたPチャネル型パワーMOSFETの双方向性ダイオード34はP型ポリシリコン層36をN+ 型ポリシリコン層35で挟む導電型のP-N接合構造としている。P型ポリシリコン層36を形成するためのイオン注入はウェーハ表面をポリシリコン膜で被覆後ポリシリコンブロックを形成する前に行い、かつ、P型ポリシリコン層36を形成するためのイオン注入後の熱拡散はベース領域29を形成するためのイオン注入後の熱拡散と同時に行い、更にN+ 型ポリシリコン層35を形成するためのイオン注入及び熱拡散はコンタクトベース領域29aを形成するためのイオン注入及び熱拡散と同時に行う。
請求項（抜粋）：
溝内部に設けたゲート電極への電圧印加により溝の深さ方向にチャネルが形成されるPチャネル型パワーMOSトランジスタと、このMOSトランジスタを保護する双方向性ダイオードとを有する半導体装置において、前記双方向性ダイオードがP型ポリシリコン層とこれを挟む高濃度N型ポリシリコン層とのP-N接合構造からなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 657 A
, H01L 29/78 653 A
