特許
J-GLOBAL ID：200903071690610655

突起電極の製造方法およびそれに用いられるベーク装置ならびに電子装置

発明者：
渡辺 直也

渡辺 直也 について

, 
浅野 種正

浅野 種正 について


出願人/特許権者：
浅野 種正

浅野 種正 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-294142
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073919
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】 電気的接続が確実に行なわれる突起電極の製造方法、それに使用されるベーク装置、電子装置およびプローブカード装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に塗布されたフォトレジスト2に対して、フォトマスク3を用いて所定の露光処理が施される。露光処理が施されたフォトレジスト2にベーク処理が施される。フォトレジスト2の表面は所定の温度に加熱され、フォトレジスト2が塗布された半導体基板1は所定の温度に冷却される。これにより、フォトレジスト2の厚さ方向に対して現像液に対する耐性に勾配が生じる結果、現像処理によって、フォトレジスト2には半導体基板側の開口面積が表面側の開口面積よりも大きい開口部が形成される。その後、メッキ法によって開口部内に金属を析出させ、フォトレジスト2を除去することによって先端が尖った突起電極が形成される。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板の主表面にフォトレジストを塗布する工程と、 前記フォトレジストに突起電極を形成するための所定の露光処理を施す工程と、 露光処理が施された前記フォトレジストをベークするベーク工程と、 ベークされた前記フォトレジストを所定の現像液により現像することにより、前記基板の表面を露出する開口部を形成する現像工程と、 メッキ法によって前記開口部内に所定の金属を析出させることにより、先端が尖った電極を形成する工程と、 前記基板の表面に残るフォトレジストを除去する工程と を備え、 前記ベーク工程では、前記フォトレジストの厚さ方向に対して温度勾配が生じた状態で前記フォトレジストがベークされる、突起電極の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (2件)：
H01L21/92 604S ,  H01L21/92 604Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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