特許
J-GLOBAL ID：200903072483551262
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-133708
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288481
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】 ベース板を有する半導体装置を製造する際に発生するベース板の反りを低減する。【解決手段】 ウエハ状態の単なるシリコン基板からなるベース板1上の複数の箇所に半導体構成体6を配置し、それらの上にエポキシ系樹脂からなる封止膜17を形成する。この場合、封止膜17は、当初は液状であるが、その後の加熱により硬化する。そして、ウエハ状態のベース板1は半導体構成体6のシリコン基板8と同一のシリコン基板によって形成されているので、このときの加熱によりウエハ状態のベース板1に発生する反りが低減される。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
半導体からなるベース板と、前記ベース板上に設けられた下層配線と、前記ベース板上に設けられ、半導体からなる半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の柱状電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の周囲に設けられた前記下層配線の接続パッド部上に設けられた上下導通用柱状電極と、前記半導体構成体の半導体基板上および前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上において前記半導体構成体の柱状電極の周囲および前記上下導通用柱状電極の周囲に設けられた封止膜と、前記封止膜上に前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面に接続されて設けられた上層配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501B
, H01L25/00 A
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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