RRAMメモリセル電極

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-332503
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175457
出願日： 2004年11月16日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】経済的に作成することが可能であり、デバイスの信頼性およびデバイスの耐久性を改良するために信頼できる電極が提供される。【解決手段】本発明のRRAMメモリセルは、第1の酸化耐性層20と、第1の耐熱性金属層22と、CMR層24と、第2の耐熱性金属層26と、第2の酸化耐性層28とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグ16を有する該シリコン基板上に形成される。例えば、酸化耐性層は、TiN、TaN、TiAlNx、TaAlNx、TaSiN、TiSiN、およびRuTiNから構成される材料の群から得られる材料から形成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の酸化耐性層と、第1の耐熱性金属層と、 CMR層と、第2の耐熱性金属層と、第2の酸化耐性層とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグを有する該シリコン基板上に形成されるRRAMメモリセル。

IPC (4件)：

H01L27/105 , H01L21/28 , H01L39/00 , H01L43/08

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L21/28 301R , H01L39/00 G , H01L43/08 Z

Fターム (27件)：

4M104BB04 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104FF13 , 4M104GG01 , 4M104GG16 , 4M113AC05 , 4M113AD62 , 4M113AD63 , 4M113BA04 , 4M113BA18 , 4M113BA23 , 4M113BC04 , 5F083FZ10 , 5F083GA21 , 5F083JA21 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (8件)

可逆的抵抗変化特性を有するLCPMO薄膜の作成
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-127597 出願人：シャープ株式会社
特許第6583003号
半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-257532 出願人：松下電器産業株式会社

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