特許
J-GLOBAL ID：200903072798649031
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241995
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057349
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 よりサイズが小さくしかも誤動作が発生し難いレベルダウン回路を持った半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 パワーデバイスの制御駆動用などに用いられる高耐圧ICにおいて、上アーム基準回路82とグランド基準回路81とを分離する耐圧構造部86をダブルリサーフ構造とし、その耐圧構造部86に、熱酸化膜LOCOSの下のP-領域85の上アーム基準回路82側の端にN+領域90を形成してカソードを構成し、P-領域85のグランド基準回路81側にP+領域91を形成してアノードを構成することで高耐圧ダイオードを形成した。グランド基準回路81の領域に高耐圧ダイオードを形成しないため、チップサイズを縮小でき、上アーム基準回路82の電位変動による誤動作を防止できる。
請求項（抜粋）：
第一導電形の第一領域、前記第一領域の主表面に選択的に形成された第二導電形の第二領域および前記第二領域の主表面に選択的に形成された前記第一導電形の第三領域で構成される耐圧構造部を備えた半導体装置において、前記耐圧構造部の前記第二領域の主表面に選択的に形成された前記第一導電形の第四領域と前記耐圧構造部の前記第三領域の主表面に選択的に形成された前記第二導電形の第五領域とを電極とするダイオードを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/861
, H01L 21/8234
, H01L 27/06
, H01L 21/329
H01L 29/91 D
, H01L 27/06 102 A
, H01L 29/91 B
5F048AA01
, 5F048AA05
, 5F048AC00
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BE03
, 5F048BE09
, 5F048BG12
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
