特許
J-GLOBAL ID：200903072966926216

浅い拡散層を有する半導体装置の製造方法

発明者：
竹内 潔

竹内 潔 について

, 
辻 清孝

辻 清孝 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155175
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349039
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 MIS型FETにおいて、短チャネル効果を抑えるための浅い接合をリーク電流と抵抗の増加を抑えて実現する。【解決手段】 半導体層にイオン注入することで、前記半導体層の表面に結晶状態を乱された層4を形成し、前記半導体層に不純物イオンをイオン注入して不純物注入層5を形成し、前記不純物の拡散を引き起こさない温度範囲の第1のアニールによって前記結晶状態の乱れを回復させ、基板中に存在する点欠陥11を消滅させ、第1のアニールより高温の第2のアニールによって第1のアニールにおいて残留した結晶欠陥12を回復させることによって半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体層にイオン注入することで、前記半導体層の表面の結晶状態を乱す工程と、前記半導体層に不純物イオンをイオン注入する工程と、前記不純物の拡散を引き起こさない温度範囲の第1のアニールによって前記結晶状態の乱れを回復させる工程と、第1のアニールより高温の第2のアニールによって第1のアニールにおいて残留した結晶欠陥を回復させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 S
Fターム (14件)：
5F040DA00 ,  5F040DA10 ,  5F040DA13 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EF02 ,  5F040FA03 ,  5F040FA07 ,  5F040FA16 ,  5F040FB02 ,  5F040FB03 ,  5F040FB04 ,  5F040FC00 ,  5F040FC15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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