特許
J-GLOBAL ID：200903073324992270

半導体装置とその製造方法

発明者：
井本 努

井本 努 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322903
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118989
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 高いシート抵抗を有し、かつ対基板電位による抵抗値の変化の小さい半導体抵抗素子を得ることができるようにする。【解決手段】 半絶縁性半導体基板21の表面に臨んでn型不純物が低不純物濃度をもってドープされて成る半導体抵抗領域24Rが形成された半導体抵抗素子を設け、この半導体抵抗領域24Rと、半絶縁性半導体基板21の半絶縁性半導体領域との間の境界領域において、ドナー型の深い不純物準位濃度を、この境界領域のアクセプタ型の全不純物準位よりも大とする。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板に第1導電型の半導体領域を有し、該半導体領域と上記半絶縁性半導体基板の半絶縁性半導体領域との間の境界領域における第1導電型の深い不純物準位濃度が、該境界領域の第2導電型の全不純物準位濃度よりも大に選定されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
Fターム (9件)：
5F038AR02 ,  5F038AR05 ,  5F038AR16 ,  5F038AR22 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (19件)
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