特許
J-GLOBAL ID：200903073374892447
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068376
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270642
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 超音波接合法を用いながらも、アンダーフィル樹脂によって容易にかつ適正にパッケージ封止するとともに、良好なフィレット形状を実現し、信頼性の高いフリップチップパッケージを得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本半導体装置の製造方法は、回路基板10上に、配線パターン12を覆うようにアンダーフィル樹脂層(16)を形成する第1工程と、回路基板10の配線パターン12上に、突起状電極24を有する半導体チップ20を対向させ、更に、アンダーフィル樹脂層(16)を貫通して配線パターン12に突起状電極24を押し付けつつ半導体チップ20に超音波振動を与えて、配線パターン12と突起状電極24とを相互に結合させる第2工程と、回路基板10と半導体チップ20との間に介在するアンダーフィル樹脂層16を硬化させる第3工程とを備える。
請求項（抜粋）：
配線パターンが形成された回路基板上に、配線パターンの少なくとも一部を覆うようにアンダーフィル樹脂層を形成する第1工程と、回路基板の配線パターン上に、接続パッド及び接続パッド上に形成された突起状電極を有する半導体チップを対向させ、更に、アンダーフィル樹脂層を貫通して配線パターンに突起状電極を押し付けつつ半導体チップに超音波振動を与えて、配線パターンと突起状電極とを相互に機械的かつ電気的に結合させる第2工程と、配線パターン及び突起状電極が結合した回路基板及び半導体チップに所定の処理を施して、回路基板と半導体チップとの間に介在するアンダーフィル樹脂層を硬化させる第3工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 21/607
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 E
, H01L 21/607 B
5F044LL11
, 5F044QQ02
, 5F044RR17
, 5F044RR18
, 5F044RR19
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA05
, 5F061CB02
