特許
J-GLOBAL ID:200903073932822370

新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-244193
公開番号(公開出願番号):特開2007-145803
出願日: 2006年09月08日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【解決手段】下記式(1)で示されるスルホン酸塩。R1SO3-CH(Rf)-CF2SO3-M+ (1)(R1は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基を示す。Rfは水素もしくはトリフルオロメチル基を示す。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。)【効果】本発明のスルホン酸は、α位(及びγ位)、β位にそれぞれ電子吸引性基であるフッ素、スルホニルオキシ基を有しているため強い酸性度を示す。その上、エステル部を置換することにより、嵩の高いものから低いものまで様々な置換基の導入が容易で、分子設計の幅を大きく持つことができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。 R1SO3-CH(Rf)-CF2SO3-M+ (1)
IPC (8件):
C07C 309/73 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C07C 381/00 ,  C07D 207/46
FI (9件):
C07C309/73 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 521 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12 ,  C07C381/00 ,  C07D207/46
Fターム (22件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF07 ,  2H025BF08 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  4C069AC30 ,  4C069BC12 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)

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