特許
J-GLOBAL ID：200903074002666358
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151978
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324324
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】光エネルギーから電気エネルギーへの変換効率が向上された太陽電池を提供すること。【解決手段】第1導電型の半導体基板6aと、半導体基板6aの第1表面M1a上に設けられた第1電極2aと、半導体基板6aの第2表面M2a上に設けられた第2導電型の半導体領域8aと、半導体領域8a上に設けられており、InGaNから成る複数のナノコラム10aを有するナノコラム領域9aと、ナノコラム領域9a上に設けられており、前記複数のナノコラム10aに接続されたInGaN領域18aと、InGaN領域18a上に設けられた第2電極24aとを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1表面と該第1表面の反対側にある第2表面とを有する第1導電型の半導体基板と、
前記第1表面上に設けられた第1電極と、
前記第2表面上に設けられた第2導電型の半導体領域と、
前記半導体領域上に設けられており、InGaNから成る複数のナノコラムを有するナノコラム領域と、
前記ナノコラム領域上に設けられており、前記複数のナノコラムに接続されたInGaN領域と、
前記InGaN領域上に設けられた第2電極と
を備え、
前記半導体基板と前記半導体領域とは第1のpn接合を形成し、
前記複数のナノコラムの各々は、一又は複数の第1導電型のナノコラム部と一又は複数の第2導電型のナノコラム部とを有し、
前記第1導電型のナノコラム部と前記第2導電型のナノコラム部とは、前記半導体領域から前記InGaN領域に向かって順に設けられていると共に第2のpn接合を形成し、
前記InGaN領域は、前記複数のナノコラムに接続された第1のInGaN部と、該第1のInGaN部上に設けられた第2のInGaN部とを有し、
前記第2のInGaN部は、前記第1のInGaN部と異なる導電型を示し、
前記第1のInGaN部と前記第2のInGaN部とは第3のpn接合を形成し、
前記半導体基板の材料のバンドギャップは、前記ナノコラムの材料のバンドギャップと異なる、ことを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 A
, H01L31/04 E
5F051AA02
, 5F051AA08
, 5F051BA11
, 5F051CB08
, 5F051CB09
, 5F051DA03
, 5F051DA17
, 5F051DA20
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA18
, 5F051GA04
出願人引用 (1件)
-
半導体素子及び太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-046345
出願人：富士ゼロックス株式会社
審査官引用 (7件)
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引用文献：
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