特許
J-GLOBAL ID：200903074228713472

ソース接続フィールドプレートを備えるワイドバンドギャップHEMT

発明者：
イーフェン ウー

イーフェン ウー について

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プリミット パリーク

プリミット パリーク について

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ウメシュ ミシュラ

ウメシュ ミシュラ について

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マーシャ ムーア

マーシャ ムーア について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-513132
公開番号（公開出願番号）：特表2007-537593
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
基板上に形成された複数の活性半導体層を含むHEMT。ソース電極、ドレイン電極、およびゲートは、複数の活性層と電気的に接触して形成される。スペーサ層は、前記複数の活性層の表面の少なくとも一部の上に形成され、ゲートを覆っている。フィールドプレートが、スペーサ層上に形成されて、ソース電極に電気的に接続され、このフィールドプレートはHEMT内の最高動作電界を低減する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された複数の活性半導体層と、 前記複数の活性層の2つの間のヘテロ界面における2次元電子ガス(2DEG)と、 前記2DEGと接触して形成されるソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極とドレイン電極との間に、前記複数の活性層の上に形成されるゲートと、 前記ゲートと前記ドレイン電極との間の前記複数の活性層の表面の少なくとも一部の上に形成されるスペーサ層と、 前記スペーサ層の上に形成されるフィールドプレートと、 前記フィールドプレートを前記ソース電極に電気的に接続するとともに、前記ゲートと前記ソース電極との間の最上面の全部よりも少ない部分を覆う、少なくとも1つの導電性経路と、 を含むことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (17件)：
5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (12件)
  • 米国特許第5,192,987号明細書
  • 米国特許出願第2002/0167023号明細書
  • 米国特許出願第2003/00020092号明細書
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審査官引用 (7件)
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