特許
J-GLOBAL ID：200903074285156938
光電圧生成器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
水野 桂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357566
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085731
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 光電変換効率を高める。【解決手段】 基板上の絶縁膜32上に形成された複数の第1不純物拡散区33と、その拡散区33と交互に配置して垂直のpn接合を形成する複数の第2不純物拡散区34と、第1、第2拡散区33、34における絶縁膜32を離れる表面に形成される第3不純物拡散区35を含み、その拡散区35が第2拡散区34よりその拡散区34とpn接合を形成する第1拡散区33内まで渡り、第2拡散区34と同極性の第3不純物拡散層と、第1、第2拡散区33、34における絶縁膜32を離れる表面に形成される第4不純物拡散区36を含み、その拡散区36が第2拡散区34内よりその拡散区34と隣り合ってpn接合を形成しない第1拡散区33内まで渡り、第1拡散区33と同極性の第4不純物拡散層と、第4拡散区36とその隣の第2拡散区34を接続する薄膜電極区38を有する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の第1不純物拡散区と、基板の表面に平行する方向で、前記複数の第1不純物拡散区と交互に配置することによって、複数の垂直のpn接合を形成する前記複数の第1不純物拡散区と逆の極性を有する複数の第2不純物拡散区と、前記複数の第1不純物拡散区と複数の第2不純物拡散区における前記絶縁膜を離れる表面に形成される複数の第3不純物拡散区を含み、各前記第3不純物拡散区が一個の前記第2不純物拡散区よりその第2不純物拡散区と対を成してpn接合を形成する前記第1不純物拡散区内まで渡り、前記第2不純物拡散区と同じ極性を有する第3不純物拡散層と、前記複数の第1不純物拡散区と複数の第2不純物拡散区における前記絶縁膜を離れる表面に形成される複数の第4不純物拡散区を含み、各前記第4不純物拡散区が一個の前記第2不純物拡散区内より、その第2不純物拡散区と隣り合って相互にpn接合を形成しない第1不純物拡散区内まで渡り、前記第1不純物拡散区と同じ極性を有する第4不純物拡散層と、各前記第4不純物拡散区とその第4不純物拡散区に隣り合う第2不純物拡散区とを電気接続する複数の薄膜電極区と、を有することを特徴とする光電圧生成器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 C
5F049MA02
, 5F049NA08
, 5F049NA18
, 5F049NA20
, 5F049NB10
, 5F049PA09
, 5F049PA10
, 5F049PA14
, 5F049QA02
, 5F049RA03
, 5F049RA04
, 5F049RA10
, 5F049SS03
, 5F049SS07
, 5F051AA02
, 5F051BA05
, 5F051CB19
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051EA02
, 5F051EA20
, 5F051GA04
