特許
J-GLOBAL ID：200903074290880970
多層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-326779
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163525
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】コア基板表面にビルドアップ法により形成された多層配線層を具備する多層配線基板の表面平坦性を向上と、多層配線層の密着性を向上させる。【解決手段】軟質の絶縁基板2の表面に、フィルム表面に形成された金属箔からなる配線回路層3を圧着、転写して軟質の絶縁基板2表面に配線回路層3を埋め込んだ後、配線回路層3の表面をエッチング処理して、配線回路層3の表面粗さ(Ra)が100nm以上、絶縁基板2表面から0.1〜10μmくぼませたコア基板10を作製した後、このコア基板10の表面に、ビルドアップ法により有機樹脂を含有する絶縁層11と配線回路層13とを順次積層して多層配線層15を形成する。
請求項（抜粋）：
有機樹脂を含有する絶縁基板表面に配線回路層が被着形成されたコア基板の表面に、有機樹脂を含有する絶縁層と配線回路層とを順次積層して多層配線層を形成してなる多層配線基板の製造方法において、前記コア基板表面の配線回路層の表面粗さ(Ra)が100nm以上であり、且つ該配線回路層が前記絶縁基板表面から0.1〜10μmくぼんで形成されていることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 B
, H05K 3/46 L
, H01L 23/12 N
