特許
J-GLOBAL ID:200903074384150844

強誘電体膜積層体、強誘電体メモリ、圧電素子、液体噴射ヘッドおよびプリンタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-026648
公開番号(公開出願番号):特開2005-333105
出願日: 2005年02月02日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
【課題】 結晶欠陥が少なく良好な特性を持つ強誘電体膜積層体を提供する。【解決手段】 強誘電体膜積層体は、電極102と、該電極上に形成されたPZT系強誘電体膜101とを含む。強誘電体膜101は、Ti組成のうち、2.5モル%以上40モル%以下をNbに置換し、電極102は、強誘電体膜から拡散する酸素をほぼ含まない。【選択図】 図44
請求項(抜粋):
電極と、該電極上に形成されたPZT系強誘電体膜と、を含む強誘電体膜積層体において、 前記PZT系強誘電体膜は、Ti組成のうち、2.5モル%以上40モル%以下をNbに置換し、 前記電極は、前記PZT系強誘電体膜から拡散する酸素をほぼ含まない、強誘電体膜積層体。
IPC (6件):
H01L41/187 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  H01L27/105 ,  H01L41/09 ,  H01L41/24
FI (7件):
H01L41/18 101D ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444Z ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 A ,  B41J3/04 103A
Fターム (42件):
2C057AF65 ,  2C057AG12 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA27 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031BA12 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA06 ,  4G031GA11 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE08 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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引用文献:
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