特許
J-GLOBAL ID:200903074384150844
強誘電体膜積層体、強誘電体メモリ、圧電素子、液体噴射ヘッドおよびプリンタ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
, 竹腰 昇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-026648
公開番号(公開出願番号):特開2005-333105
出願日: 2005年02月02日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
【課題】 結晶欠陥が少なく良好な特性を持つ強誘電体膜積層体を提供する。【解決手段】 強誘電体膜積層体は、電極102と、該電極上に形成されたPZT系強誘電体膜101とを含む。強誘電体膜101は、Ti組成のうち、2.5モル%以上40モル%以下をNbに置換し、電極102は、強誘電体膜から拡散する酸素をほぼ含まない。【選択図】 図44
請求項(抜粋):
電極と、該電極上に形成されたPZT系強誘電体膜と、を含む強誘電体膜積層体において、
前記PZT系強誘電体膜は、Ti組成のうち、2.5モル%以上40モル%以下をNbに置換し、
前記電極は、前記PZT系強誘電体膜から拡散する酸素をほぼ含まない、強誘電体膜積層体。
IPC (6件):
H01L41/187
, B41J2/045
, B41J2/055
, H01L27/105
, H01L41/09
, H01L41/24
FI (7件):
H01L41/18 101D
, H01L27/10 444C
, H01L27/10 444B
, H01L27/10 444Z
, H01L41/08 J
, H01L41/22 A
, B41J3/04 103A
Fターム (42件):
2C057AF65
, 2C057AG12
, 2C057AG42
, 2C057AG44
, 2C057BA03
, 2C057BA14
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA13
, 4G031AA14
, 4G031AA15
, 4G031AA17
, 4G031AA18
, 4G031AA27
, 4G031AA30
, 4G031AA32
, 4G031BA09
, 4G031BA12
, 4G031CA01
, 4G031CA08
, 4G031GA02
, 4G031GA06
, 4G031GA11
, 4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC02
, 4G048AD02
, 4G048AD08
, 4G048AE08
, 5F083FR01
, 5F083FR02
, 5F083FR03
, 5F083GA06
, 5F083GA21
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA18
, 5F083MA19
, 5F083PR23
, 5F083PR33
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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引用文献:
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