特許
J-GLOBAL ID：200903074658904310

ガラスセラミック基板への無電解めっき方法

発明者：
古厩 達也

古厩 達也 について


出願人/特許権者：
大和電機工業株式会社

大和電機工業株式会社 について


代理人 (1件)： 横沢 志郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106022
公開番号（公開出願番号）：特開2000-297380
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 導体パターンが形成されたガラスセラミック基板に対してニッケル-金の無電解めっきを行ったときでも、基体であるガラスセラミック基板と導体パターンとの密着性が良好なガラスセラミック基板への無電解めっき方法を提供すること。【解決手段】 ガラスセラミック基板上の導体パターン上に無電解めっきでニッケル層-金層を形成するにあたって、酸性処理液を用いた脱脂洗浄工程、酸性のエッチング液を用いたエッチング工程、酸性活性液を用いた酸活性工程、酸性並びに中性処理液を用いたパラジウム処理工程をこの順序で行った後、前記導体パターン表面に対して、中性浴中での無電解ニッケルめっき工程と、酸性浴あるいは中性浴中での無電解金めっき工程とをこの順序で行う。
請求項（抜粋）：
銀を含む導体パターンが形成されたガラスセラミック基板に対して、酸性処理液を用いた脱脂洗浄工程、酸性のエッチング液を用いたエッチング工程、酸性活性液を用いた酸活性工程、中性処理液を用いたパラジウム処理工程をこの順序で行った後、前記導体パターン表面に対して、中性浴中での無電解ニッケルめっき工程と、酸性浴あるいは中性浴中での無電解金めっき工程とをこの順序で行うことを特徴とするガラスセラミック基板への無電解めっき方法。
IPC (4件)：
C23C 18/24 ,  C23C 18/28 ,  C23C 18/52 ,  H05K 3/24
FI (4件)：
C23C 18/24 ,  C23C 18/28 A ,  C23C 18/52 B ,  H05K 3/24 C
Fターム (25件)：
4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA05 ,  4K022CA06 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022CA21 ,  4K022CA23 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  5E343AA23 ,  5E343BB23 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB55 ,  5E343BB72 ,  5E343CC33 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD76 ,  5E343GG02
引用特許：
審査官引用 (8件)
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