特許
J-GLOBAL ID：200903074795556167

パターン形成方法

発明者：
塩原 英志

塩原 英志 について

, 
庄 浩太郎

庄 浩太郎 について

, 
近藤 丈博

近藤 丈博 について

, 
小林 祐二

小林 祐二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-023923
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210825
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 レジストパターンをマスクにして形成されるパターンの形状不良を抑制すること。【解決手段】 ポリシリコン膜10上にレジストパターン12を形成する工程と、前記レジストパターン12の表面に樹脂膜14が選択形成されたマスクパターン12,15を形成する工程と、前記マスクパターン12,15のスリミングを行う工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被加工膜上にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンの表面に樹脂膜が選択形成されたマスクパターンを形成する工程と、 前記マスクパターンのスリミングを行う工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/40
FI (2件)：
H01L21/30 570 ,  G03F7/40 511
Fターム (9件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  2H096HA11 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F046AA28 ,  5F046PA01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-334170   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (6件)
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