特許
J-GLOBAL ID:200903074901566983
レジストパターンの処理方法および処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-054790
公開番号(公開出願番号):特開平10-256118
出願日: 1997年03月10日
公開日(公表日): 1998年09月25日
要約:
【要約】【課題】 耐熱性および耐エッチング性を向上させたレジストパターンを提供することを主要な目的とする。【解決手段】 基板の上に形成された化学増幅型レジストのパターン1を準備する。所定の湿度に制御されたガス雰囲気の下で、レジストパターン1に、熱を付与しながら紫外線を照射する。
請求項(抜粋):
基板の上に形成された化学増幅型レジストのパターンを準備する工程と、所定の湿度に制御されたガス雰囲気の下で、前記レジストパターンに、熱を付与しながら、紫外線を照射する工程と、を備えたレジストパターンの処理方法。
IPC (5件):
H01L 21/027
, G03F 7/004 503
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/28
FI (5件):
H01L 21/30 571
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/28
引用特許:
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