特許
J-GLOBAL ID：200903074960131478

硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該スパッタリングターゲットの製造方法

発明者：
矢作 政隆

矢作 政隆 について

, 
高見 英生

高見 英生 について


出願人/特許権者：
株式会社日鉱マテリアルズ

株式会社日鉱マテリアルズ について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-036154
公開番号（公開出願番号）：特開2003-242684
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり90%以上の高密度を備えた硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該ターゲットの製造方法を得る。【解決手段】 硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を2.0〜2.6の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。
請求項（抜粋）：
硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を2.0〜2.6の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。
IPC (5件)：
G11B 7/24 534 ,  G11B 7/24 535 ,  C04B 35/547 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/26 531
FI (5件)：
G11B 7/24 534 N ,  G11B 7/24 535 C ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 T
Fターム (33件)：
4G030AA01 ,  4G030AA05 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA38 ,  4G030AA39 ,  4G030AA41 ,  4G030AA42 ,  4G030AA56 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA04 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA29 ,  4K029BA51 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5D029JB18 ,  5D029LA17 ,  5D029LC06 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE11 ,  5D121EE14
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM