特許
J-GLOBAL ID：200903075294385571
半導体ウェハの裏面研削に用いる表面保護テープ用基材フィルム
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-101333
公開番号（公開出願番号）：特開2007-280976
出願日： 2006年04月03日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】バックグラインド工程後の半導体ウェハの反りを防止し、かつ厚み精度の優れた、半導体ウェハの裏面研削に使用さる表面保護テープ用基材フィルムを提供する。【解決手段】半導体ウェハの裏面研削時に用いる表面保護テープにおいて、環状オレフィン系樹脂を含む中心層と、分岐状低密度ポリエチレン樹脂を含む表裏層とを有し、下記要件を満たす表面保護テープ用基材フィルム。1)JIS B0601に準拠して測定したときの、基材フィルムの表裏両面の表面粗さRaが0.8μm以下であり、かつ少なくとも一方の面の表面粗さRaが0.05μm以上である。2)直径12インチあたりの厚みの(最大値-最小値)の値が4μm以下である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの裏面研削時に用いる表面保護テープにおいて、環状オレフィン系樹脂を含む中心層と、分岐状低密度ポリエチレン樹脂を含む表裏層とを有し、下記要件を満たすことを特徴とする表面保護テープ用基材フィルム。
1)JIS B0601に準拠して測定したときの、基材フィルムの表裏両面の表面粗さRaが0.8μm以下であり、かつ少なくとも一方の面の表面粗さRaが0.05μm以上である。
2)直径12インチあたりの厚みの(最大値-最小値)の値が4μm以下である。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
出願人引用 (2件)
審査官引用 (10件)
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