非単結晶半導体材料、光電変換素子、発光素子、および非単結晶半導体材料の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-117162
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295060
出願日： 2005年04月14日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】アモルファスシリコン材料中にナノ結晶をほぼ均一に埋め込んだナノ結晶埋め込み型アモルファス材料を実現し、優れた特性を持つ非単結晶半導体材料、光電変換素子、発光素子、および非単結晶半導体材料の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン及び/又はゲルマニウムを主体とするアモルファス材料3中に粒径1nm〜5nmの結晶シリコン及び結晶ゲルマニウム2を散在させた非単結晶半導体材料1。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン及び/又はゲルマニウムを主体とするアモルファス材料中に粒径1nm〜5nmの結晶シリコン及び結晶ゲルマニウムを散在させたことを特徴とする非単結晶半導体材料。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L33/00 A , H01L31/04 B

Fターム (22件)：

5F041CA33 , 5F041CA64 , 5F045AA00 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB05 , 5F045AC01 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA61 , 5F045DB03 , 5F045EE19 , 5F045EH20 , 5F051AA05 , 5F051CA08 , 5F051CA09 , 5F051CA15 , 5F051DA04

引用特許：

審査官引用 (8件)

中距離秩序材料を大きな体積比率で含んだ半導体材料
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-527042 出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド, ユナイテッドソーラーシステムズコープ.
光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-145989 出願人：凸版印刷株式会社
光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-349587 出願人：キヤノン株式会社

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