特許

J-GLOBAL ID：200903075955035912

炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  柘植 弘志 ,  中林 正史 ,  藤本 辰雄 ,  矢代 弘克 ,  澤村 充 ,  藍郷 崇 ,  星野 泰三
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (4件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-043739
公開番号（公開出願番号）：特開2007-223821
出願日： 2006年02月21日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径面ウェハを、再現性良く製造し得るためのSiC単結晶育成用種結晶とSiC単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面15に溝部12を有する構造とし、溝部12以外の結晶成長面15に炭化珪素エピタキシャル薄膜13を有することを特徴とする。該種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを昇華再結晶法により製造する。また、このインゴットから切り出した炭化珪素基板に炭化珪素エピタキシャル層を成長させてウエハとする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

結晶成長面に溝部を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、前記溝部以外の結晶成長面にエピタキシャル薄膜を有することを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/18

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B25/18

Fターム (15件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077EE01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077TA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• SiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315367   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、および炭化珪素単結晶ウエハ、並びに炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307814   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (6件)

• 炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料と炭化珪素単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-053403   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開昭63-319294
  
• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-364593   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-378265   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、および炭化珪素単結晶ウエハ、並びに炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307814   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体基板および半導体基板のそり矯正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-275133   出願人：株式会社デンソー