特許
J-GLOBAL ID：200903076093809582

半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器

発明者：
山崎 泰志

山崎 泰志 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-242073
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197882
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】単結晶シリコン層がはがれることなく、SOI構造を有し、かつ、部分的に異なる厚さの単結晶半導体層を備える半導体基板を形成可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器を提供すること。【解決手段】 貼り合わせ基板600において、単結晶シリコン基板200の表面にイオン遮蔽用マスク300aを形成し、酸素イオン400を注入する。その結果、単結晶シリコン基板200中には、酸素イオン400の到達ピーク位置を中心にシリコン酸化膜210が形成され、このシリコン酸化膜210の上層側には、薄い第1の単結晶半導体層220が残る。これに対して、イオン遮蔽用マスク300aで覆われていた部分では、厚い第2の単結晶半導体層230が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定領域の半導体層に対して酸素イオン及び/又は窒素イオンを選択的に導入することにより、前記半導体層の内部に酸化膜層及び/又は窒化膜層を形成して、該酸化膜層及び/又は窒化膜層の上層側に薄い第1の半導体層を形成するとともに、前記酸素イオン及び/又は窒化イオンの非導入領域に厚い第2の半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 27/12 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786
FI (11件)：
H01L 27/12 E ,  H01L 27/12 L ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 21/265 J ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 21/76 R
Fターム (93件)：
2H090JB04 ,  2H090LA04 ,  2H092GA29 ,  2H092JA23 ,  2H092JA46 ,  2H092JB52 ,  2H092JB56 ,  2H092KA03 ,  2H092KA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA18 ,  2H092MA22 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092NA11 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA09 ,  2H092PA13 ,  5F032AA01 ,  5F032AA07 ,  5F032AA13 ,  5F032AA18 ,  5F032AA28 ,  5F032AA32 ,  5F032AA91 ,  5F032BA01 ,  5F032BA06 ,  5F032CA17 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA09 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048BC11 ,  5F048BE08 ,  5F048BG07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (14件)
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