特許
J-GLOBAL ID：200903076120687460

ウエハ及び半導体装置並びにこれらの製造方法

発明者：
鐘ヶ江 有宣

鐘ヶ江 有宣 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-275701
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167197
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 絶縁性基板上に、接着剤を用いないで単結晶シリコン集積回路を作製すると共に、単結晶シリコン集積回路の活性領域が水素イオン注入等のダメージを受けず、素子本来の特性を十分に発揮することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁性基板201上に、単結晶シリコン集積回路61...が形成される。上記単結晶シリコン集積回路61は、周囲全方向が酸化物(BOX層43、二酸化珪素50、54、57)によって囲まれた構造となっている。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
シリコン基板に形成された埋め込み酸化膜層上のシリコン活性層に所望数の単結晶シリコン集積回路が形成され、 上記単結晶シリコン集積回路表面が酸化物で覆われると共に、該単結晶シリコン集積回路間及び該単結晶シリコン集積回路内の素子間に、上記埋め込み酸化膜層に達する深さまで酸化物が充填されていることを特徴とするウエハ。
IPC (8件)：
H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L27/12 B ,  H01L27/12 F ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 621 ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 M ,  H01L21/76 L
Fターム (65件)：
5F032AA06 ,  5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032BA03 ,  5F032BA06 ,  5F032BB01 ,  5F032CA07 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA10 ,  5F032DA12 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA67 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BC06 ,  5F048BG12 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110BB02 ,  5F110CC04 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN32 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP23 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特表平7-503557(公表日:1995年4月13日)
  • 特許第2743391号(登録日:1998年2月6日)
  • 特許第3141486号(登録日:2000年12月22日)
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審査官引用 (14件)
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