特許
J-GLOBAL ID：200903076248245966
半導体の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054634
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251687
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体に急峻なドーパントプロファイルを持つp-n接合を形成できるようにする。【解決手段】 サファイアよりなる基板10の上には、n型GaNよりなるn型コンタクト層12、n型Al0.1 Ga0.9 Nよりなるn型クラッド層13、GaNよりなる第1の光ガイド層14、In0.20Ga0.80Nよりなる量子井戸活性層15及びGaNよりなる第2の光ガイド層16が順次形成されている。第2の光ガイド層16の上面には膜厚が20nmでp型ドーパントであるMgとn型ドーパントであるSiとがコドープされたAl0.1 Ga0.9 Nよりなる拡散抑制層17が形成され、該拡散抑制層17の上面にはp型Al0.1 Ga0.9 Nよりなるp型クラッド層18が形成されている。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系半導体と格子整合されない基板上にアンドープ又はn型窒化ガリウム系半導体よりなる第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層の上に窒化ガリウム系半導体よりなる第2の半導体層をp型ドーパントとn型ドーパントとをコドープしながら形成する工程と、前記第2の半導体層の上にp型窒化ガリウム系半導体よりなる第3の半導体層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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