特許
J-GLOBAL ID：200903076256768870
薄膜コンデンサ及びその製造方法並びに電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
, 深澤 拓司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-022416
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192653
出願日： 2007年01月31日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】容量のばらつきを抑えるとともに、VBDをより高めつつ、個体間のVBDのばらつきを抑え、且つ、層間剥離を十分に抑止することができ、デバイス特性及び製品の信頼性、並びに、生産性及び経済性を向上させることが可能な薄膜コンデンサ等を提供する。【解決手段】電子部品1〜4は、基材として、表面に平坦化層52が形成された平滑な基板51上にコンデンサ11が形成されたものである。コンデンサ11は、基板51の平坦化層52上に、下地導体21a及び導体21bからなる下部導体21、アルミナ等からなる誘電体膜31、レジスト等からなる樹脂層J1、並びに、下地導体25a及び導体25bからなる上部導体25が形成された構造を有している。下部導体21は、導体21bの上面周縁部が、開口Kの形成された領域である中央部よりも突出するように盛り上がった起伏形状を有している。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1の導体と第2の導体との間に誘電体層及び絶縁層が形成されており、且つ、該絶縁層が、該第1の導体又は該第2の導体と該誘電体層とが重なる領域に開口を有する薄膜コンデンサであって、
前記第1の導体、前記第2の導体、及び前記誘電体層のうち少なくとも一つは、前記開口が形成された領域よりも、周縁部の少なくとも一部が前記絶縁層側に盛り上がった起伏形状を有するものである、
薄膜コンデンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01G4/06 102
, H01G4/12 394
, H01G4/12 400
5E001AB06
, 5E001AC01
, 5E001AD03
, 5E001AG01
, 5E001AH01
, 5E001AJ02
, 5E001AJ04
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082EE37
, 5E082FG27
, 5E082FG42
, 5E082HH26
, 5E082HH47
