半導体ウェハの製造方法およびこの種の半導体ウェハ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244221
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハを両面研磨する、表側の面および裏側の面および研磨した縁部を有する半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】前記方法は、a)半導体ウェハの縁部を研磨布で研磨し、(b)半導体ウェハの表側の面および裏側の面を同時に研磨し、その後直ちに(c)半導体ウェハの表側の面および裏側の面および縁部を液体フィルムで完全に湿らせ、かつ(d)半導体ウェハを清浄化し、かつ乾燥する工程の順序を特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを両面研磨する、表側の面、裏側の面および研磨した縁部を有する半導体ウェハの製造方法において、以下の時間的順序の工程:(a)アルカリ性研磨材を連続的に供給しながら半導体ウェハの縁部を研磨布で研磨する工程、(b)2つの回転する下側および上側の研磨盤の間にアルカリ性研磨材を連続的に供給しながら半導体ウェハの表側の面および裏側の面を同時に研磨する工程、その際研磨盤の両方が研磨布で被覆され、両方の研磨布が実質的に多孔性の、均一な、繊維不含のポリマーフォームからなり、下側の研磨盤の研磨布が滑らかな表面を有し、上側の研磨盤の研磨布が溝により中断された表面を有する、その後直ちに(c)半導体ウェハの表側の面、裏側の面および縁部を液体フィルムで完全に湿らせる工程、かつ(d)半導体ウェハを清浄化し、かつ乾燥する工程を特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 641 , B24B 1/00 , B24B 37/00

FI (9件)：

H01L 21/304 621 A , H01L 21/304 621 E , H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 622 Q , H01L 21/304 641 , B24B 1/00 A , B24B 37/00 H , B24B 37/00 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体鏡面ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-204311 出願人：信越半導体株式会社
半導体装置の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-230156 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-141748 出願人：日本電気株式会社

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