半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：飯塚雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114616
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319907
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】本発明は、あらゆる面方位に良好な絶縁膜形成が可能な方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板としてSiCを採用するとともに、プラズマ処理によって絶縁膜を形成している。このとき、絶縁膜中に希ガスを含有させる。好ましくは、希ガスとして、クリプトン(Kr)、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)の少なくとも何れか1つを含有する。特に、酸素ガスとクリプトン(Kr)の組み合わせが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiCからなる半導体基板と; 前記半導体基板上に形成された絶縁膜とを備え、前記絶縁膜はプラズマ処理によって形成され、少なくとも一部に希ガスを含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/316 , H01L21/283 , H01L21/318 , H01L29/78

FI (8件)：

H01L21/316 A , H01L21/316 X , H01L21/283 B , H01L21/318 A , H01L21/318 B , H01L21/318 C , H01L29/78 301G , H01L29/78 301B

Fターム (23件)：

4M104AA03 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BF80 , 5F058BJ04 , 5F140AA00 , 5F140BA02 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE10

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-097831 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-144516 出願人：ソニー株式会社
<110>方位のシリコン表面上に形成された半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-307899 出願人：大見忠弘

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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