特許
J-GLOBAL ID:200903076974562326
半導体デバイスの検査方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-222405
公開番号(公開出願番号):特開2003-035680
出願日: 2001年07月24日
公開日(公表日): 2003年02月07日
要約:
【要約】【課題】白色光・レーザ光・あるいは電子線を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、検査に必要な各種条件を設定する際にその操作効率を向上するための技術を適用する。【解決手段】半導体デバイスの検査装置において、半導体デバイスの設計データを利用することで検査装置の複数のパラメータを自動的に設定可能とする機能をそなえた。
請求項(抜粋):
半導体デバイスの検査方法であって、半導体デバイスの設計データを用いて検査条件を設定し、該設定した条件で半導体デバイスを検査し、該検査した結果を用いて前記設計データを用いて設定した検査条件を修正し、該修正した検査条件を用いて半導体デバイスを検査することを特徴とする半導体デバイスの検査方法。
IPC (4件):
G01N 21/956
, G01N 23/225
, G06T 1/00 305
, H01L 21/66
FI (4件):
G01N 21/956 A
, G01N 23/225
, G06T 1/00 305 A
, H01L 21/66 J
Fターム (33件):
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001FA01
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001HA09
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001KA04
, 2G001LA11
, 2G051AA51
, 2G051AB01
, 2G051CB05
, 2G051CC07
, 2G051EA24
, 2G051EB02
, 4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CA41
, 4M106DB08
, 4M106DB20
, 4M106DJ14
, 4M106DJ20
, 4M106DJ39
, 5B057AA03
, 5B057BA02
, 5B057CA08
, 5B057CA16
, 5B057CC03
, 5B057DA03
, 5B057DB02
, 5B057DB09
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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