特許
J-GLOBAL ID：200903077013127695
剥離方法および半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233745
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163337
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにTFTを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上に第1の材料層11を設け、前記第1の材料層11に接して第2の材料層12を設け、さらに積層成膜または500°C以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第1の材料層が引張応力を有し、且つ第2の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第2の材料層12の層内または界面において、きれいに分離することができる。
請求項（抜粋）：
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に引張応力を有する第1の材料層が設けられており、前記第1の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第1の材料層と接し、且つ圧縮応力を有する第2の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成した後、該被剥離層を前記第1の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第2の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
IPC (13件)：
H01L 27/12
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/1368
, G09F 9/00 338
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 360
, G09F 9/35
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H05B 33/10
, H05B 33/14
H01L 27/12 B
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/1368
, G09F 9/00 338
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 360
, G09F 9/35
, H01L 21/20
, H01L 21/268 E
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 627 D
, H01L 29/78 626 C
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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