特許
J-GLOBAL ID：200903077103467053
液晶表示装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131720
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、マスク数を減少させて工程の単純化がなされるフリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 透明絶縁基板上に第1透明金属膜を蒸着し、第1マスクを用いてエッチングして櫛形状にカウンタ電極を形成する段階;基板全面に第1絶縁膜を形成する段階;第1金属膜を蒸着し、ゲートバスラインを形成すると同時に、共通電極ラインを形成する段階;基板全面にゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜及び第2絶縁膜を形成する段階;エッチストッパを形成する段階;非晶質シリコン膜及び第2金属膜を形成する段階;ソース及びドレインとデータバスラインを形成する段階;オーミック層及びチャンネル層を形成する段階;パッシベーション膜を形成する段階;パッド部をオープンすると同時に、データバスラインの一部及びソースをオープンする段階;第2透明金属膜を蒸着し、オープンしたソース、データバスライン及びゲートバスラインのパッド部とコンタクトされる画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
カウンタ電極及び画素電極間のフリンジフィールドにより動作する液晶表示装置の製造方法であって、透明絶縁基板上に第1透明金属膜を蒸着し、第1マスクを用いてエッチングして櫛形にカウンタ電極を形成する段階;前記基板全面に保護膜として第1絶縁膜を形成する段階;前記第1絶縁膜上に第1金属膜を蒸着し、第2マスクを用いてエッチングしてゲートバスラインを形成すると同時に、前記カウンタ電極とコンタクトされる共通電極ラインを形成する段階;前記基板全面にゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜及び第2絶縁膜を形成する段階;前記第2絶縁膜を第3マスクを用いてエッチングしてエッチストッパを形成する段階;前記基板全面にドープした非晶質シリコン膜及び第2金属膜を形成する段階;前記第2金属膜を第4マスクを用いてエッチングしてソース及びドレインとデータバスラインを形成する段階;前記ソース及びドレインをマスクとして前記ドープした非晶質シリコン膜と非晶質シリコン膜をエッチングしてオーミック層及びチャンネル層を形成する段階;前記基板全面にパッシベーション膜を形成する段階;前記パッシベーション膜を第5マスクを用いてエッチングして、前記ゲートバスラインのパッド部をオープンすると同時に、データバスラインの一部及び前記ソースをオープンする段階;及び前記パッシベーション膜上に第2透明金属膜を蒸着し、第6マスクを用いてエッチングして前記オープンしたソース、データバスライン及びゲートバスラインのパッド部とコンタクトされる画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (6件)：
G02F 1/1365
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 337
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 337
, H01L 29/78 612 D
