有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275403
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088223
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。【化1】(式中、R1及びR2は互いに独立して水素原子または置換基を表す。xは0または1以上の整数を表す。Arは、置換または無置換の1つまたは2つ以上のアリーレン基またはヘテロアリーレン基を有する。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (5件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 51/50

FI (7件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/28 250F , H01L29/28 310J , H05B33/14 A

Fターム (50件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (10件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
モノ、オリゴおよびポリチエノ[2,3-b]チオフェン
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-249474 出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
ダイオード素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316710 出願人：松下技研株式会社

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