特許

J-GLOBAL ID：200903077230019124

半導体レーザ装置および光ディスク再生記録装置

発明者： 河西 秀典 ,  藤城 芳江 ,  蛭川 秀一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-316075
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283056
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 発振波長が760nmより大きく800nmより小さくて、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導体レーザ装置、および、その半導体レーザ装置を用いた光ディスク再生記録装置を提供すること。【解決手段】 GaAs基板101上に、少なくとも、第一および第二下クラッド層103,133、井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層105、第一および第二上クラッド層107,109を積層する。上記井戸層はInGaAsPからなる。上記井戸層の層厚dを160Åと厚くし、上記井戸層の一層への光閉じ込め係数をΓとすると、Γ/dを2.2×10-4Å-1と大きくする。こうすることによって、良好なしきい値特性および温度特性を保ちつつ、CODレベルの高い高出力な半導体レーザ装置が得られる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、少なくとも、第一導電型の下クラッド層、井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層、第二導電型の上クラッド層が積層されてなると共に、発振波長が760nmより大きく800nmより小さい半導体レーザ装置において、上記井戸層および上記障壁層はInGaAsP、InGaPまたはGaAsPからなり、上記井戸層の層厚をd、上記井戸層の一層への光閉じ込め係数をΓとしたとき、Γ/dが2.2×10-4Å-1以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  G11B 7/125

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A

Fターム (20件)：

5D119AA10 ,  5D119AA24 ,  5D119AA32 ,  5D119FA05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA13 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-155691   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-317644   出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-139623   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-085230   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257881   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-023843   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-212437   出願人：富士通株式会社