特許
J-GLOBAL ID：200903080741924187

半導体レーザ素子

発明者：
松本 晃広

松本 晃広 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023843
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223780
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 低出力状態では自励発振による低雑音特性が得られ、高出力状態では戻り光でのマルチ縦モード発振による低雑音特性が得られることとなり、低出力状態及び高出力状態のいずれの状態においても、雑音特性を低減することができ、低雑音特性の両立を図ることを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層及び第2導電型クラッド層がこの順で積層され、前記第1導電型又は第2導電型クラッド層中にレーザ発振光に対する可飽和吸収層を有し、前記第2導電型のクラッド層中にストライプ状の開口を有する電流狭窄構造を有してなり、光出力2mWから5mWの低出力状態において自励発振が起こり、かつ光出力20mW以上の高出力状態において、光出力の戻り光が0.5%から20%ではマルチ縦モード発振が起こるように構成されてなる半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層及び第2導電型クラッド層がこの順で積層され、前記第1導電型又は第2導電型クラッド層中にレーザ発振光に対する可飽和吸収層を有し、前記第2導電型のクラッド層中にストライプ状の開口を有する電流狭窄構造を有してなり、光出力2mWから5mWの低出力状態において自励発振が起こり、かつ光出力20mW以上の高出力状態において、光出力の戻り光が0.5%から20%ではマルチ縦モード発振が起こるように構成されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (8件)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA53 ,  5F073AA89 ,  5F073BA04 ,  5F073EA01 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (9件)
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