改善された一時的熱インピーダンスを有するパワーモジュール

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：中村承平 , 安達枝里
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-550312
公開番号（公開出願番号）：特表2004-525503
出願日： 2001年12月01日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

本発明は、少なくとも1つの電子パワー構成要素、DCBセラミック基材、冷却装置、および少なくとも1つの追加熱キャパシタを具備する電子パワーモジュールに関する。本発明によれば、a)電子パワー構成要素は、それらの下部層上で、焼結層によってDCBセラミック基材の上部銅層に接合され、b)DCBセラミック基材の上部銅層は、パワー構成要素と電気的に接触させるための銅片導体の形で構成され、c)DCBセラミック基材の下部銅層は、焼結層によって冷却本体に接合され、d)パワー構成要素の上面は焼結層によって追加熱キャパシタに接合される。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの電子パワーデバイス(1)と、DCBセラミック基板(3、4、5)と、ヒートシンク(6)と、少なくとも1つの追加熱キャパシタンス(9、9a、9b、12)とを具備する電子パワーモジュールであって、 a)前記電子パワーデバイス(1)は、それらの下面が焼結層(2)によって前記DCBセラミック基板の上部銅層(3)に接合され、 b)前記DCBセラミック基板の上部銅層(3)は、前記パワーデバイス(1)の電気接触用の銅導体トラックに構成され、 c)前記DCBセラミック基板の下部銅層(5)は、焼結層(7)によって前記ヒートシンクに接合され、 d)前記パワーデバイス(1)の上面は、焼結層(10)によって少なくとも1つの前記追加熱キャパシタンス(9、9a、9b、12)に接合される、電子パワーモジュール。

IPC (2件)：

H01L25/07 , H01L25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

緩衝層を有する電力半導体素子
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-524802 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシャフト
パワー半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-352217 出願人：三菱電機株式会社
加圧接触型半導体装置、及びこれを用いた変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-104344 出願人：株式会社日立製作所

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