特許
J-GLOBAL ID:200903077378067560

走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-117325
公開番号(公開出願番号):特開平8-313541
出願日: 1995年05月16日
公開日(公表日): 1996年11月29日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】分解能が高いSPM測定を可能とする走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその製造方法を提供することにある。【構成】第1の基板102の一方の面に形成された酸化膜104と第2の基板106とを貼り合わせた貼り合わせ基板108を用意し、第2の基板106にレバー部の形状を形成し、レバー部の側端面に酸化膜112を形成し、第2の基板を所定の厚さまでエッチングし、レバー部の一部に探針部を形成し、第2に基板の表面に酸化膜を形成し、第1の基板に支持部を形成し、前記第1の基板面に形成された酸化膜の一部、レバー部の側端面に形成された酸化膜、及び第2の基板表面に形成された酸化膜を除去する走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法。
請求項(抜粋):
レバー部及び探針部を有する走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法であって、第1の半導体基板の一方の面に形成された酸化膜層と第2の半導体基板とを貼り合わせた貼り合わせ基板を用意する第1工程と、前記第2の半導体基板を前記酸化膜層が露出するまで選択的に除去してレバー部に近似した形状のレバーベース部を形成する第2工程と、前記レバーベース部の側端面に酸化膜を形成する第3工程と、前記第2の半導体基板の表面部分を所定厚さ除去して前記レバーベース部に探針部に近似した形状の探針ベース部を形成する第4工程と、前記第2の半導体基板の表面に酸化膜を形成する第5工程と、前記第1の半導体基板に支持部を形成する第6工程と、前記酸化膜層の一部、レバーベース部の側端面に形成された酸化膜、及び第2の半導体基板表面に形成された酸化膜を除去する第7工程と、を有する走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法。
IPC (3件):
G01N 37/00 ,  G01B 21/30 ,  H01J 37/28
FI (3件):
G01N 37/00 A ,  G01B 21/30 Z ,  H01J 37/28 Z
引用特許:
審査官引用 (11件)
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