特許
J-GLOBAL ID:200903077505778896
膜形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-235589
公開番号(公開出願番号):特開2003-179050
出願日: 2002年08月13日
公開日(公表日): 2003年06月27日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で形成される 膜との密着性に優れた半導体用絶縁膜の形成方法を得る。【解決手段】 基板を(A)反応性基を有するアルコキシシラン化合物およびその加水分解縮合物もしくはいずれか一方で処理した後、(B)4官能アルコキシシラン、3官能アルコキシシランおよび2官能アルコキシシランから選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解し縮合した加水分解縮合物および有機溶剤を含有する膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。
請求項(抜粋):
基板を(A)反応性基を有するアルコキシシラン化合物およびその加水分解縮合物もしくはいずれか一方で処理した後、(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解し縮合した加水分解縮合物および有機溶剤を含有する膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれアルキル基またはアリール基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕
IPC (11件):
H01L 21/316
, B05D 3/02
, B05D 5/12
, B05D 7/00
, B05D 7/24 302
, C09D 5/25
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/14
, H01L 21/312
, H01L 21/768
FI (12件):
H01L 21/316 G
, B05D 3/02 Z
, B05D 5/12 D
, B05D 7/00 H
, B05D 7/24 302 Y
, C09D 5/25
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/14
, H01L 21/312 C
, H01L 21/90 Q
, H01L 21/90 S
Fターム (62件):
4D075BB26Z
, 4D075CA13
, 4D075CA23
, 4D075CA47
, 4D075DA06
, 4D075DB13
, 4D075DB14
, 4D075DC22
, 4D075DC24
, 4D075EA07
, 4D075EC03
, 4D075EC54
, 4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038DL041
, 4J038DL042
, 4J038DL071
, 4J038DL072
, 4J038DL161
, 4J038DL162
, 4J038JA26
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038MA07
, 4J038NA12
, 4J038NA21
, 4J038PA11
, 4J038PA14
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 5F033HH08
, 5F033PP19
, 5F033RR04
, 5F033RR23
, 5F033SS04
, 5F033SS11
, 5F033SS22
, 5F033TT03
, 5F033TT04
, 5F033VV15
, 5F033VV16
, 5F033XX12
, 5F033XX24
, 5F058AA08
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AD10
, 5F058AD12
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058BA10
, 5F058BC05
, 5F058BD01
, 5F058BD04
, 5F058BD15
, 5F058BF46
, 5F058BH03
, 5F058BH04
, 5F058BJ02
引用特許:
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