MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鶴亀國康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-207620
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032564
出願日： 2004年07月14日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルSiO2層と、該トンネルSiO2層上に形成されたSi殻内にGe核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルSiO2層上に形成されたコントロールSiO2層と、該コントロールSiO2層上に形成されたゲート電極層と、を有する。MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートSiO2層と、該ゲートSiO2層上に形成されたドープSi層、Ge層及びドープSi層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルSiO2層と、該トンネルSiO2層上に形成されたSi殻内にGe核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルSiO2層上に形成されたコントロールSiO2層と、該コントロールSiO2層上に形成されたゲート電極層と、を有するMOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , H01L 31/12 , H01L 27/14 , H01L 29/78 , H01L 31/10

FI (5件)：

H01L33/00 A , H01L31/12 C , H01L27/14 Z , H01L29/78 301J , H01L31/10 A

Fターム (75件)：

4M118AA01 , 4M118AB05 , 4M118BA02 , 4M118BA06 , 4M118CA09 , 4M118CA12 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118CB03 , 4M118CB05 , 4M118EA01 , 4M118FC02 , 4M118FC06 , 4M118FC18 , 4M118GA10 , 5F041CA05 , 5F041CA06 , 5F041CA25 , 5F041CA33 , 5F041CA63 , 5F041FF14 , 5F041FF16 , 5F049MA15 , 5F049MB04 , 5F049MB05 , 5F049NB01 , 5F049NB10 , 5F049PA02 , 5F089AA01 , 5F089AA06 , 5F089AB11 , 5F089AC01 , 5F089AC05 , 5F140AA00 , 5F140AB01 , 5F140AC06 , 5F140AC11 , 5F140AC14 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA10 , 5F140BA12 , 5F140BC06 , 5F140BD00 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BD20 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140CB01 , 5F140CE06

引用特許：

出願人引用 (2件)

Si基板上の光電融合デバイス構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-136515 出願人：キヤノン株式会社
半導体発光/検出デバイスとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039678 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-013275 出願人：富士通株式会社
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-037698 出願人：富士通株式会社
特開平1-240826

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